12+  Свидетельство СМИ ЭЛ № ФС 77 - 70917
Лицензия на образовательную деятельность №0001058		 Пользовательское соглашение     Контактная и правовая информация
 
Педагогическое сообщество
УРОК.РФУРОК
  
Всё для аттестацииПубликация в сборникеВебинарыЛэпбукиПрофтестыЗаказ рецензийТренды образования
Материал опубликовала
Елена Александровна292
http://elenavackulina.ucoz.ru/
Россия, Северная Осетия-Алания респ., Владикавказ
1
#ФГОС #Учебно-дидактические материалы #КИМ #Среднее профессиональное образование

ФОНД ОЦЕНОЧНЫХ СРЕДСТВ


Паспорт фонда оценочных средств по дисциплине

ОП.06 Электронная техника  

для специальности 11.02.06 Техническая эксплуатация транспортного радиоэлектронного оборудования

Результаты обучения (освоенные умения,

усвоенные знания)1

ОК,

ПК

Наименование

темы2

Наименование контрольно-оценочного средства

Текущий контроль3

Промежуточная аттестация4

1

2

3

4

5

Знания:

-сущность физических процессов, протекающих в электронных приборах и устройствах.

Умения:

-определять и анализировать основные параметры электронных схем и по ним определять работоспособность устройств электронной техники.

ОК 02

ОК 03

ОК 04

ОК 05

ПК 1.1

ПК 1.2

ПК 3.2

ПК 4.2


Раздел 1. Полупроводниковые приборы

Тема 1.1. Физические основы работы полупроводниковых приборов

Устный опрос.




Тесты:

с 1–4 вопросы

Экзамен.

Устный ответ по билетам.

Вопросы

1–5

Знания:

-сущность физических процессов, протекающих в электронных приборах и устройствах.

Умения:

-определять и анализировать основные параметры электронных схем и по ним определять работоспособность устройств электронной техники.

ОК 02

ОК 03

ОК 04

ОК 05

ПК 1.1

ПК 1.2

ПК 3.2

ПК 4.2


Тема  1.2.

Полупроводниковые резисторы

Устный опрос.

Практическая работа:

«Классификация резисторов, физические процессы, лежащие в основе их работы, параметры и характеристики, УГО»


Знания:

-сущность физических процессов, протекающих в электронных приборах и устройствах.

Умения:

-определять и анализировать основные параметры электронных схем и по ним определять работоспособность устройств электронной техники.

ОК 02

ОК 03

ОК 04

ОК 05

ПК 1.1

ПК 1.2

ПК 3.2

ПК 4.2


Тема 1.3. Полупроводниковые диоды


Устный опрос.

Лабораторные работы:

«Исследование выпрямительного диода I=f(U)»;

«Исследование полупроводникового стабилитрона I=f(Uобр)».

Практическая работа:

«Маркировка полупроводниковых диодов»

Экзамен.

Устный ответ по билетам.

Вопросы

6–7


Знания:

-сущность физических процессов, протекающих в электронных приборах и устройствах;

-принципы включения электронных приборов и построение электронных схем.

Умения:

-определять и анализировать основные параметры электронных схем и по ним определять работоспособность устройств электронной техники;

-производить подбор элементов электронной аппаратуры по заданным параметрам.

ОК 02

ОК 03

ОК 04

ОК 05

ПК 1.1

ПК 1.2

ПК 3.2

ПК 4.2


Тема 1.4. Транзисторы

Устный опрос.

Практические работы:

«Маркировка биполярных транзисторов»

«Маркировка полевых транзисторов»

«Исследование работы полевого транзистора Iс=f(Uси)»





Тесты:

с 5–16 вопросы

Экзамен.

Устный ответ по билетам.

Вопросы

8–24


Знания:

-сущность физических процессов, протекающих в электронных приборах и устройствах;

-принципы включения электронных приборов и построение электронных схем.

Умения:

-определять и анализировать основные параметры электронных схем и по ним определять работоспособность устройств электронной техники.

производить подбор элементов электронной аппаратуры по заданным параметрам.


ОК 02

ОК 03

ОК 04

ОК 05

ПК 1.1

ПК 1.2

ПК 3.2

ПК 4.2


Тема 1.5.

Тиристоры

Устный опрос.


Устный ответ по билетам.

Вопросы

25–26

















Знания:

-сущность физических процессов, протекающих в электронных приборах и устройствах;

принципы включения электронных приборов и построение электронных схем.

Умения:

-определять и анализировать основные параметры электронных схем и по ним определять работоспособность устройств электронной техники;

-производить подбор элементов электронной аппаратуры по заданным параметрам.

ОК 02

ОК 03

ОК 04

ОК 05

ПК 1.1

ПК 1.2

ПК 3.2

ПК 4.2


Тема 1.6.Фотоэлектронные приборы


Устный опрос.

Практическая работа:

«Маркировка

Фотоэлектронных приборов»

Обязательная контрольная работа: «Полупроводниковые приборы»



Тесты:

с 17–19 вопросы.

Экзамен.

Устный ответ по билетам.

Вопросы

29–35

Знания:

-сущность физических процессов, протекающих в электронных приборах и устройствах;

Умения:

-определять и анализировать основные параметры электронных схем и по ним определять работоспособность устройств электронной техники.

ОК 02

ОК 03

ОК 04

ОК 05

ПК 1.1

ПК 1.2

ПК 3.2

ПК 4.2

Раздел 2. Индикаторные приборы


Устный опрос.

Практическая работа:

«Классификация

Индикаторных приборов по физическим процессам, лежащим в основе их работы»

«Полупроводниковые индикаторы».

Лабораторная работа:

«Жидкокристаллические индикаторы»

Тесты:

с 25, 26 вопросы

Экзамен.

Устный ответ по билетам.

Вопросы

27–28.

Знания:

-сущность физических процессов, протекающих в электронных приборах и устройствах;

-принципы включения электронных приборов и построение электронных схем.

Умения:

-определять и анализировать основные параметры электронных схем и по ним определять работоспособность устройств электронной техники;

-производить подбор элементов электронной аппаратуры по заданным параметрам.

ОК 02

ОК 03

ОК 04

ОК 05

ПК 1.1

ПК 1.2

ПК 3.2

ПК 4.2


Раздел 3. Основы микроэлектроники и логические устройства

Тема 3.1. Микросхемотехника

Устный опрос.


Экзамен.

Устный ответ по билетам.

Вопросы

36–41


Знания:

-сущность физических процессов, протекающих в электронных приборах и устройствах;

принципы включения электронных приборов и построение электронных схем.

Умения:

-определять и анализировать основные параметры электронных схем и по ним определять работоспособность устройств электронной техники;

-производить подбор элементов электронной аппаратуры по заданным параметрам.

ОК 02

ОК 03

ОК 04

ОК 05

ПК 1.1

ПК 1.2

ПК 3.2

ПК 4.2


Тема 3.2.Схемы логических элементов







Устный опрос.

Лабораторные работы:

«Схемы логических функций на МДП-транзисторах».

«Схемы логических функций на КМДП-транзисторах».

Контрольная работа:

«Микросхемотехника. Схемы логических элементов».



Экзамен.

Устный ответ по билетам.

Вопросы

42–45.






Знания:

-сущность физических процессов, протекающих в электронных приборах и устройствах;

принципы включения электронных приборов и построение электронных схем.

Умения:

-определять и анализировать основные параметры электронных схем и по ним определять работоспособность устройств электронной техники;

-производить подбор элементов электронной аппаратуры по заданным параметрам.

ОК 02

ОК 03

ОК 04

ОК 05

ПК 1.1

ПК 1.2

ПК 3.2

ПК 4.2


Раздел 4.Схемы аналоговых устройств в дискретном и интегральном исполнении

Устный опрос.

Лабораторные работы:

«Обратные связи в усилителях».

«Межкаскадные связи в усилителях».

«Параметры и характеристики ОУ».

«Исследование ДУ».

«Исследование ОУ».

Практическая работа:

«Аналитический расчет УНЧ».

Контрольная работа:

«Схемы аналоговых устройств в дискретном и интегральном исполнении»

Тесты:

с 20–24 вопросы

Экзамен.

Устный ответ по билетам.

Вопросы

46–56

1Столбцы1, 2 «Результаты обучения - освоенные умения, усвоенные знания»; «ПК, ОК»  заполняются  в соответствии с разделом 4 рабочей программы «Контроль и оценка результатов освоения  учебной дисциплины».

2 Столбцы3, «Наименование темы», заполняется  в соответствии с п.2.2 рабочей программы «Тематический план и содержание учебной дисциплины».

3 Примерный состав КОС для текущего контроля: контрольная работа №1 по теме, разделу; вопросы для устного (письменного) опроса; тест по теме, разделу; реферат, доклад, сообщение, эссе; индивидуальный (групповой) проект, в т.ч. курсовой проект (работа); лабораторная работа; практическое занятие (деловая игра, решение ситуационных задач, семинар, круглый стол, расчетно-графическая работа);  рабочая тетрадь; портфолио.

4Примерный состав КОС для промежуточной аттестации  по учебной дисциплине: контрольная работа по учебной дисциплине; вопросы для устного (письменного) зачета;  тест по учебной дисциплине;  экзаменационные билеты для устного (письменного) экзамена.

Формы контроля и оценивания элементов учебной дисциплины

1.Текущий контроль знаний осуществляется на занятиях в форме оценивания устных ответов, наблюдения и оценки выполнения практических работ, тестирования по темам, оценки выполнения внеаудиторной самостоятельной работы.

2.Итоговый контроль освоенных умений и усвоенных знаний дисциплины «Электронная техника» осуществляется на экзамене. Для осуществления итогового контроля разработаны  билеты.

3.Условием допуска к экзамену является положительная текущая аттестация по всем практическим работам и обязательной контрольной работе по дисциплине (проверка выполняется с помощью текущего контроля).


Наименование учебной дисциплины

Форма контроля и оценивания

Промежуточная аттестация

Текущий контроль

Электронная техника

Экзамен

Оценка выполнения индивидуальных заданий;

результаты устного опроса;

наблюдение и оценка выполнения контрольных и  практических работ;

результаты тестирования;

контроль выполнения внеаудиторных самостоятельных работ.


Оценка освоения учебной дисциплины

Критерии оценки устного ответа на экзамене

Количество баллов

Полнота, системность знаний

5

ответ полный и правильный, показывающий прочные знания в области профессиональной деятельности, материал изложен в логической последовательности, литературным языком, ответ самостоятельный

4

ответ полный и правильный, показывающий прочные знания в области профессиональной деятельности, материал изложен в логической последовательности, литературным языком, при этом допущены две-три несущественные ошибки, исправленные самостоятельно по требованию преподавателя

3

ответ полный, но при этом допущена существенная ошибка или неполный, несвязный

2

при ответе обнаружено непонимание обучающимся основного содержания дисциплины или допущены существенные ошибки, которые обучающийся не смог исправить при наводящих вопросах преподавателя

Критерии оценки выполнения практического задания

Количество баллов

Полнота, системность знаний

5

Задание выполнено полностью самостоятельно и полностью соответствует поставленной задаче или образцу.

4

Задание выполнено полностью самостоятельно и полностью соответствует поставленной задаче или образцу., но при этом допущены несущественные неточности, устраненные без помощи преподавателя.

3

Задание выполнено не в полном объеме или не полностью соответствует поставленной задаче или образцу, при этом могут быть допущены несущественные неточности, устраненные с помощью преподавателя.

2

Задание не выполнено и полностью не соответствует поставленной задаче или образцу, допущены существенные неточности, которые обучающийся не может устранить.


Вопросы  к обязательной контрольной работе по дисциплине  «Электронная техника»

  1. Виды проводимости полупроводников.
  2. Какие полупроводники называются полупроводниками n-типа (работу пояснить энергетическими диаграммами).
  3. Какие полупроводники называются полупроводниками р-типа (работу пояснить энергетическими диаграммами).
  4. Работа р – n перехода, включенного в прямом направлении.
  5. Работа р – n перехода, включенного в обратном направлении.
  6. Свойства контакта металл – полупроводник.
  7. Полупроводниковые резисторы: классификация УГО.
  8. Полупроводниковые диоды: классификация УГО.
  9. Выпрямительный диод: схема включения, принцип работы, ВАХ.
  10.  Стабилитрон: классификация УГО.
  11.  Биполярный транзистор: структура транзистора  n – р – n типа, принцип работы.
  12.  Схема включения биполярного транзистора по схеме с ОБ, коэффициент передачи по току, характеристики.
  13.  Схема включения биполярного транзистора по схеме с ОЭ коэффициент передачи по току, характеристики.
  14.  Схема включения биполярного транзистора по схеме с ОК, коэффициент передачи по току, характеристики.
  15.  h – параметры биполярного транзистора.
  16.  Плевой транзистор с управляющим р – n переходом: структурная схема, принцип работы, УГО, характеристики.
  17.  Плевой транзистор МДП-типа с изолированным затвором: структурная схема, принцип работы, УГО, характеристики.
  18. Плевой транзистор МДП-типа с индуцированным каналом: структурная схема, принцип работы, УГО, характеристики.
  19.  Структурная схема тиристора. Принцип работы диодного тиристора, ВАХ, УГО.
  20.  Что называется внутренним фотоэффектом.
  21.  Фоторезисторы: схема включения, физические процессы, лежащие в основе работы, параметры и характеристики.
  22.  Фотодиод: схема включения, физические процессы, лежащие в основе работы, параметры и характеристики.
  23.  Светодиод: структурная схема, физические процессы, лежащие в основе работы, параметры и характеристики, УГО.


Вопросы к экзаменационным билетам по дисциплине

«Электронная техника» 

  1. Изобразить энергетические схемы полупроводников p- и  n-типа.
  2. Энергетические диаграммы проводников, полупроводников и диэлектриков.
  3. Схема включения p-n перехода в прямом направлении, физические процессы, ВАХ.
  4. Схема включения p-n перехода в прямом направлении, физические процессы, ВАХ.
  5. Схема включения p-n перехода в прямом направлении, физические процессы, ВАХ.
  6. Схема включения выпрямительного диода, ВАХ, основные параметры.
  7. Стабилитрон, схема включения, принцип работы, параметры и характеристики.
  8. Почему транзистор называется биполярным.
  9. Транзистор типа n-р-n, структурная схема, физические процессы, лежащие в основе работы.
  10. Схема включения, потенциалы и направление токов в схеме с ОЭ для транзистора п-р-п типа.
  11. Схема включения, потенциалы и направление токов в схеме с ОБ для транзистора п-р-п типа.
  12.   Схема включения, потенциалы, направления токов в схеме с ОК для транзистора типа р-n-р.
  13.   Схема включения, потенциалы, направления токов в схеме с ОБ для транзистора типа р-n-р.
  14.   Схема включения, потенциалы, направления токов в схеме с ОЭ для транзистора типа р-n-р.
  15. Схема включения, потенциалы и направление токов в схеме с ОК для транзистора п-р-п типа.
  16. Схема включения транзистора с ОБ: коэффициент передачи по току, параметры и характеристики.
  17. Схема включения с ОЭ: коэффициент передачи по току, параметры и характеристики.
  18.  Что такое вторичные параметры биполярного транзистора, h-параметры.
  19. Почему транзистор называется полевым
  20. Полевой транзистор с индуцированным каналом: структурная схема, принцип работы, параметры и характеристики.
  21. Полевой транзистор с управляющим р-n переходом: структурная схема, принцип работы, параметры и характеристики.
  22. Полевой транзистор с изолированным затвором: структурная схема, принцип работы, параметры и характеристики.
  23.  Изобразить УГО полевых транзисторов с каналом n-типа.
  24.  Изобразить УГО полевых транзисторов с каналом р-типа.
  25.  Диодный тиристор, структурная схема, принцип работы, параметры и характеристики.
  26. Транзисторный тиристор, структурная схема, принцип работы, параметры и характеристики.
  27.  Полупроводниковые индикаторы. Конструкция и принцип работы, достоинства и недостатки. 
  28.  Жидкокристаллические индикаторы. Конструкция и принцип работы, достоинства и недостатки.
  29. Какое физическое явление лежит в основе работы полупроводниковых фотоэлектронных приборов.
  30. Схема включения фоторезистора, физические процессы, параметры и характеристики.
  31. Схема включения фотодиода, физические процессы, параметры и характеристики.
  32. Фотоэлемент, структурная схема, принцип работы, УГО.
  33. Устройство, схема включения, параметры и характеристики светодиода.
  34. Структурная схема оптрона, принцип работы, назначение.
  35. Изобразить оптопару VД-VT.
  36. Что называется ИМС, какие элементы схемы называются активными и пассивными элементами, основные параметры ИМС.
  37. Инвертор на биполярном транзисторе.
  38. Схема, принцип работы логического элемента ТТЛ.
  39. Схема, принцип работы логического элемента ЭСЛ.
  40. Инвертор на КМДП-транзисторе для положительной логики.
  41. Инвертор на КМДП-транзисторе для отрицательной логики.
  42. Схема усилителя низкой частоты на транзисторе, назначение элементов, принцип работы.
  43. Термостабилизация положения рабочей точки в транзисторном усилителе.
  44. Изобразить АЧХ усилителя
  45. Изобразить амплитудную характеристику усилителя.
  46. Изобразить графически режим работы усилителя в классе АВ.
  47. Изобразить графически режим работы усилителя в классе А.
  48. Изобразить графически  режим работы усилителя в классе В.
  49. Какой параметр называется углом отсечки.
  50. Какую функцию в схеме УНЧ выполняет делитель напряжения.
  51. Изобразить схему УНЧ, указать какую функцию выполняют элементы Rк и Cр.
  52. Схема, физические процессы дифференциального усилителя при синфазном сигнале.



Тесты по дисциплине «Электронная техника»

1. Энергетическая диаграмма полупроводника p-типа:

Рис.2.  а. б. в. г. 

%D1%8D1.jpg

2. Энергетическая диаграмма полупроводника n-типа:

Рис.2.  а. б. в. г.

%D1%8D2.jpg

 3. Схема включения p-n-перехода в прямом направлении:

 Рис.3. а. б. в. г.

%D1%8D3.jpg

4. Схема включения p-n-перехода в обратном направлении:

Рис.3. а. б. в. г. 

%D1%8D4%281%29.jpg


5.Транзистор называется биполярным потому, что:

а. носителями зарядов в нем являются электроны и дырки;

б. в нем образуются электрические поля;

в. в нем образуются магнитные поля;

г. в нем образуются электромагнитные поля.

6. Биполярный транзистор работает в активном (рабочем) режиме, если

а. эмиттерный переход включен в обратном направлении, а коллекторный переход в прямом;

б. эмиттерный переход включен в прямом направлении, а коллекторный переход в обратном;

в. оба перехода включены в обратном направлении;

г. оба перехода включены в прямом направлении.

7. Биполярный транзистор работает в режиме насыщения, если:

а. эмиттерный переход включен в обратном направлении, а коллекторный переход в прямом;

б. эмиттерный переход включен в прямом направлении, а коллекторный переход в обратном;

в. оба перехода включены в прямом направлении;

г. оба перехода включены в обратном направлении.

8.  Биполярный транзистор работает в режиме отсечки, если:

а. эмиттерный переход включен в обратном направлении, а коллекторный переход в прямом;

б. эмиттерный переход включен в прямом направлении, а коллекторный переход в обратном;

в. оба перехода включены в обратном направлении;

г. оба перехода включены в прямом направлении.

9.Транзистор включен по схеме с ОЭ:

Рис. 5. а. б. в. г.

%D1%8D5.jpg

10. Транзистор включен по схеме с ОБ:

Рис. 5. а. б. в. г.

%D1%8D6.jpg

11. Транзистор включен по схеме с ОК:

Рис. 5. а. б. в. г.

%D1%8D7.jpg

12. Входные статические характеристики схем включения биполярного транзистора:

а. Iвх=f(Uвх); Iвх=const;

б. Iвх=f(Uвх); Uвх=const;

в. Iвх=f(Uвх); Uвых=const;

г. Iвх=f(Uвых); Uвх=const;

13. Выходные статические характеристики схем включения биполярного транзистора:

а. Iвых=f(Uвх); Iвх=const;

б. Iвых=f(Uвх); Uвх=const;

в. Iвых=f(Uвх); Uвых=const;

г. Iвых=f(Uвых); Iвх=const

14. Полевым называется транзистор, в котором током канала управляет:

а. магнитное поле;

б. электрическое поле;

в. электромагнитное;

г. ускоряющее.

15. Управляющая характеристика полевого транзистора:

а. Iс=f(Uис); Uзи= const.

б. Iс=f(Uзи); Uси= const.

в. Iс=f(Uис); Uзс= const.

г. Iс=f(Uис); Uзс= const.

16. Выходная характеристика полевого транзистора:

а. Iс=f(Uис); Uзи= const.

б. Iс=f(Uзи); Uси= const.

в. Iс=f(Uис); Uзс= const.

г. Iс=f(Uис); Uзс= const.

17. Внутренним фотоэффектом называется:

а. фотоэлектронная эмиссия;

б. генерация дырок;

в. генерация пар электрон – дырка;

г. генерация электронов.

18. Работа фотоэлемента основана:

а. на внешнем фотоэффекте;

б. на внутреннем фотоэффекте;

в. на фотоэлектронной эмиссии;

г. на динатронном эффекте.

19. Оптрон – это:

а. полупроводниковый прибор, состоящий из двух фотодиодов;

б. полупроводниковый прибор, состоящий из двух светодиодов;

в. полупроводниковый прибор, состоящий из излучателя и  приемника потока излучения;

г. полупроводниковый прибор, состоящий из фотоприемных приборов.

20. Электронным усилителем называется:

а. устройство, преобразующее энергию переменного электрического поля в энергию сигнала;

б. устройство, преобразующее энергию постоянного электрического поля в энергию сигнала, частота которого f=0;

в. устройство, в котором сигнал управляет потоком энергии источника питания постоянного напряжения;

г. устройство, в котором сигнал управляет потоком энергии источника питания переменного напряжения;

21. Работа усилителя в режиме класса А характеризуется:

 а. Ɵ=90о; б. Ɵ=60о; в. Ɵ=180о; г. 90о >Ɵ>180о.

22. Работа усилителя в режиме класса В характеризуется:

 а. Ɵ=90о; б. Ɵ=60о; в. Ɵ=180о; г. 90о >Ɵ>180о.

23. Работа усилителя в режиме класса АВ характеризуется:

 а. Ɵ=90о; б. Ɵ=60о; в. Ɵ=180о; г. 90о >Ɵ>180о.

24. Работа усилителя в режиме класса С характеризуется:

 а. Ɵ=90о; б. Ɵ=60о; в. Ɵ=180о; г. 90о >Ɵ>180о.

25. Элементом полупроводниковых индикаторов является:

а. фотодиод;

б. светодиод;

в. фотоэлемент;

г. фототранзистор.

26. На каких свойствах жидкокристаллических веществ основана работа ЖКИ:

а. на электрических;

б. на магнитных;

в. на оптических;

г. на температурных.          


Ключ к тесту

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

12

13

г

б

б

а

а

б

в

г

а

в

б

в

г

14

15

16

17

18

19

20

21

22

23

24

25

26

б

б

а

в

б

в

в

в

а

г

б

в

в


Критерии оценивания ответов на тест:

1 правильный ответ = 1 балл, оценка ставится в зависимости от количества набранных баллов:

"Отлично":

  • количество баллов 10-15;

"Хорошо":

  • количество баллов 7-9;

"Удовлетворительно"

  • количество баллов 5-7:

"Неудовлетворительно"

  • количество баллов менее 5.
Опубликовано


Комментарии (1)

Воронцов Сергей Иванович, 13.12.21 в 23:37 0Ответить Пожаловаться
Молодец!
Чтобы написать комментарий необходимо авторизоваться.