Паспорт фонда оценочных средств по дисциплине

ОП.06 Электронная техника  

для специальности 11.02.06 Техническая эксплуатация транспортного радиоэлектронного оборудования

¹Столбцы1, 2 «Результаты обучения - освоенные умения, усвоенные знания»; «ПК, ОК»  заполняются  в соответствии с разделом 4 рабочей программы «Контроль и оценка результатов освоения  учебной дисциплины».

² Столбцы3, «Наименование темы», заполняется  в соответствии с п.2.2 рабочей программы «Тематический план и содержание учебной дисциплины».

³ Примерный состав КОС для текущего контроля: контрольная работа №1 по теме, разделу; вопросы для устного (письменного) опроса; тест по теме, разделу; реферат, доклад, сообщение, эссе; индивидуальный (групповой) проект, в т.ч. курсовой проект (работа); лабораторная работа; практическое занятие (деловая игра, решение ситуационных задач, семинар, круглый стол, расчетно-графическая работа);  рабочая тетрадь; портфолио.

⁴Примерный состав КОС для промежуточной аттестации  по учебной дисциплине: контрольная работа по учебной дисциплине; вопросы для устного (письменного) зачета;  тест по учебной дисциплине;  экзаменационные билеты для устного (письменного) экзамена.

Формы контроля и оценивания элементов учебной дисциплины

1.Текущий контроль знаний осуществляется на занятиях в форме оценивания устных ответов, наблюдения и оценки выполнения практических работ, тестирования по темам, оценки выполнения внеаудиторной самостоятельной работы.

2.Итоговый контроль освоенных умений и усвоенных знаний дисциплины «Электронная техника» осуществляется на экзамене. Для осуществления итогового контроля разработаны  билеты.

3.Условием допуска к экзамену является положительная текущая аттестация по всем практическим работам и обязательной контрольной работе по дисциплине (проверка выполняется с помощью текущего контроля).

Оценка освоения учебной дисциплины

Критерии оценки устного ответа на экзамене

Критерии оценки выполнения практического задания

Вопросы  к обязательной контрольной работе по дисциплине  «Электронная техника»

1. Виды проводимости полупроводников.
2. Какие полупроводники называются полупроводниками n-типа (работу пояснить энергетическими диаграммами).
3. Какие полупроводники называются полупроводниками р-типа (работу пояснить энергетическими диаграммами).
4. Работа р – n перехода, включенного в прямом направлении.
5. Работа р – n перехода, включенного в обратном направлении.
6. Свойства контакта металл – полупроводник.
7. Полупроводниковые резисторы: классификация УГО.
8. Полупроводниковые диоды: классификация УГО.
9. Выпрямительный диод: схема включения, принцип работы, ВАХ.
10.  Стабилитрон: классификация УГО.
11.  Биполярный транзистор: структура транзистора  n – р – n типа, принцип работы.
12.  Схема включения биполярного транзистора по схеме с ОБ, коэффициент передачи по току, характеристики.
13.  Схема включения биполярного транзистора по схеме с ОЭ коэффициент передачи по току, характеристики.
14.  Схема включения биполярного транзистора по схеме с ОК, коэффициент передачи по току, характеристики.
15.  h – параметры биполярного транзистора.
16.  Плевой транзистор с управляющим р – n переходом: структурная схема, принцип работы, УГО, характеристики.
17.  Плевой транзистор МДП-типа с изолированным затвором: структурная схема, принцип работы, УГО, характеристики.
18. Плевой транзистор МДП-типа с индуцированным каналом: структурная схема, принцип работы, УГО, характеристики.
19.  Структурная схема тиристора. Принцип работы диодного тиристора, ВАХ, УГО.
20.  Что называется внутренним фотоэффектом.
21.  Фоторезисторы: схема включения, физические процессы, лежащие в основе работы, параметры и характеристики.
22.  Фотодиод: схема включения, физические процессы, лежащие в основе работы, параметры и характеристики.
23.  Светодиод: структурная схема, физические процессы, лежащие в основе работы, параметры и характеристики, УГО.

Вопросы к экзаменационным билетам по дисциплине

«Электронная техника» 

1. Изобразить энергетические схемы полупроводников p- и  n-типа.
2. Энергетические диаграммы проводников, полупроводников и диэлектриков.
3. Схема включения p-n перехода в прямом направлении, физические процессы, ВАХ.
4. Схема включения p-n перехода в прямом направлении, физические процессы, ВАХ.
5. Схема включения p-n перехода в прямом направлении, физические процессы, ВАХ.
6. Схема включения выпрямительного диода, ВАХ, основные параметры.
7. Стабилитрон, схема включения, принцип работы, параметры и характеристики.
8. Почему транзистор называется биполярным.
9. Транзистор типа n-р-n, структурная схема, физические процессы, лежащие в основе работы.
10. Схема включения, потенциалы и направление токов в схеме с ОЭ для транзистора п-р-п типа.
11. Схема включения, потенциалы и направление токов в схеме с ОБ для транзистора п-р-п типа.
12.   Схема включения, потенциалы, направления токов в схеме с ОК для транзистора типа р-n-р.
13.   Схема включения, потенциалы, направления токов в схеме с ОБ для транзистора типа р-n-р.
14.   Схема включения, потенциалы, направления токов в схеме с ОЭ для транзистора типа р-n-р.
15. Схема включения, потенциалы и направление токов в схеме с ОК для транзистора п-р-п типа.
16. Схема включения транзистора с ОБ: коэффициент передачи по току, параметры и характеристики.
17. Схема включения с ОЭ: коэффициент передачи по току, параметры и характеристики.
18.  Что такое вторичные параметры биполярного транзистора, h-параметры.
19. Почему транзистор называется полевым
20. Полевой транзистор с индуцированным каналом: структурная схема, принцип работы, параметры и характеристики.
21. Полевой транзистор с управляющим р-n переходом: структурная схема, принцип работы, параметры и характеристики.
22. Полевой транзистор с изолированным затвором: структурная схема, принцип работы, параметры и характеристики.
23.  Изобразить УГО полевых транзисторов с каналом n-типа.
24.  Изобразить УГО полевых транзисторов с каналом р-типа.
25.  Диодный тиристор, структурная схема, принцип работы, параметры и характеристики.
26. Транзисторный тиристор, структурная схема, принцип работы, параметры и характеристики.
27.  Полупроводниковые индикаторы. Конструкция и принцип работы, достоинства и недостатки. 
28.  Жидкокристаллические индикаторы. Конструкция и принцип работы, достоинства и недостатки.
29. Какое физическое явление лежит в основе работы полупроводниковых фотоэлектронных приборов.
30. Схема включения фоторезистора, физические процессы, параметры и характеристики.
31. Схема включения фотодиода, физические процессы, параметры и характеристики.
32. Фотоэлемент, структурная схема, принцип работы, УГО.
33. Устройство, схема включения, параметры и характеристики светодиода.
34. Структурная схема оптрона, принцип работы, назначение.
35. Изобразить оптопару VД-VT.
36. Что называется ИМС, какие элементы схемы называются активными и пассивными элементами, основные параметры ИМС.
37. Инвертор на биполярном транзисторе.
38. Схема, принцип работы логического элемента ТТЛ.
39. Схема, принцип работы логического элемента ЭСЛ.
40. Инвертор на КМДП-транзисторе для положительной логики.
41. Инвертор на КМДП-транзисторе для отрицательной логики.
42. Схема усилителя низкой частоты на транзисторе, назначение элементов, принцип работы.
43. Термостабилизация положения рабочей точки в транзисторном усилителе.
44. Изобразить АЧХ усилителя
45. Изобразить амплитудную характеристику усилителя.
46. Изобразить графически режим работы усилителя в классе АВ.
47. Изобразить графически режим работы усилителя в классе А.
48. Изобразить графически  режим работы усилителя в классе В.
49. Какой параметр называется углом отсечки.
50. Какую функцию в схеме УНЧ выполняет делитель напряжения.
51. Изобразить схему УНЧ, указать какую функцию выполняют элементы R_к и C_р.
52. Схема, физические процессы дифференциального усилителя при синфазном сигнале.

Тесты по дисциплине «Электронная техника»

1. Энергетическая диаграмма полупроводника p-типа:

Рис.2.  а. б. в. г. 

2. Энергетическая диаграмма полупроводника n-типа:

Рис.2.  а. б. в. г.

 3. Схема включения p-n-перехода в прямом направлении:

 Рис.3. а. б. в. г.

4. Схема включения p-n-перехода в обратном направлении:

Рис.3. а. б. в. г. 

5.Транзистор называется биполярным потому, что:

а. носителями зарядов в нем являются электроны и дырки;

б. в нем образуются электрические поля;

в. в нем образуются магнитные поля;

г. в нем образуются электромагнитные поля.

6. Биполярный транзистор работает в активном (рабочем) режиме, если

а. эмиттерный переход включен в обратном направлении, а коллекторный переход в прямом;

б. эмиттерный переход включен в прямом направлении, а коллекторный переход в обратном;

в. оба перехода включены в обратном направлении;

г. оба перехода включены в прямом направлении.

7. Биполярный транзистор работает в режиме насыщения, если:

а. эмиттерный переход включен в обратном направлении, а коллекторный переход в прямом;

б. эмиттерный переход включен в прямом направлении, а коллекторный переход в обратном;

в. оба перехода включены в прямом направлении;

г. оба перехода включены в обратном направлении.

8.  Биполярный транзистор работает в режиме отсечки, если:

а. эмиттерный переход включен в обратном направлении, а коллекторный переход в прямом;

б. эмиттерный переход включен в прямом направлении, а коллекторный переход в обратном;

в. оба перехода включены в обратном направлении;

г. оба перехода включены в прямом направлении.

9.Транзистор включен по схеме с ОЭ:

Рис. 5. а. б. в. г.

10. Транзистор включен по схеме с ОБ:

Рис. 5. а. б. в. г.

11. Транзистор включен по схеме с ОК:

Рис. 5. а. б. в. г.

12. Входные статические характеристики схем включения биполярного транзистора:

а. I_вх=f(U_вх); I_вх=const;

б. I_вх=f(U_вх); U_вх=const;

в. I_вх=f(U_вх); U_вых=const;

г. I_вх=f(U_вых); U_вх=const;

13. Выходные статические характеристики схем включения биполярного транзистора:

а. I_вых=f(U_вх); I_вх=const;

б. I_вых=f(U_вх); U_вх=const;

в. I_вых=f(U_вх); U_вых=const;

г. I_вых=f(U_вых); I_вх=const

14. Полевым называется транзистор, в котором током канала управляет:

а. магнитное поле;

б. электрическое поле;

в. электромагнитное;

г. ускоряющее.

15. Управляющая характеристика полевого транзистора:

а. Iс=f(U_ис); U_зи= const.

б. Iс=f(U_зи); U_си= const.

в. Iс=f(U_ис); U_зс= const.

г. Iс=f(U_ис); U_зс= const.

16. Выходная характеристика полевого транзистора:

а. Iс=f(U_ис); U_зи= const.

б. Iс=f(U_зи); U_си= const.

в. Iс=f(U_ис); U_зс= const.

г. Iс=f(U_ис); U_зс= const.

17. Внутренним фотоэффектом называется:

а. фотоэлектронная эмиссия;

б. генерация дырок;

в. генерация пар электрон – дырка;

г. генерация электронов.

18. Работа фотоэлемента основана:

а. на внешнем фотоэффекте;

б. на внутреннем фотоэффекте;

в. на фотоэлектронной эмиссии;

г. на динатронном эффекте.

19. Оптрон – это:

а. полупроводниковый прибор, состоящий из двух фотодиодов;

б. полупроводниковый прибор, состоящий из двух светодиодов;

в. полупроводниковый прибор, состоящий из излучателя и  приемника потока излучения;

г. полупроводниковый прибор, состоящий из фотоприемных приборов.

20. Электронным усилителем называется:

а. устройство, преобразующее энергию переменного электрического поля в энергию сигнала;

б. устройство, преобразующее энергию постоянного электрического поля в энергию сигнала, частота которого f=0;

в. устройство, в котором сигнал управляет потоком энергии источника питания постоянного напряжения;

г. устройство, в котором сигнал управляет потоком энергии источника питания переменного напряжения;

21. Работа усилителя в режиме класса А характеризуется:

 а. Ɵ=90^о; б. Ɵ=60^о; в. Ɵ=180^о; г. 90^о >Ɵ>180^о.

22. Работа усилителя в режиме класса В характеризуется:

 а. Ɵ=90^о; б. Ɵ=60^о; в. Ɵ=180^о; г. 90^о >Ɵ>180^о.

23. Работа усилителя в режиме класса АВ характеризуется:

 а. Ɵ=90^о; б. Ɵ=60^о; в. Ɵ=180^о; г. 90^о >Ɵ>180^о.

24. Работа усилителя в режиме класса С характеризуется:

 а. Ɵ=90^о; б. Ɵ=60^о; в. Ɵ=180^о; г. 90^о >Ɵ>180^о.

25. Элементом полупроводниковых индикаторов является:

а. фотодиод;

б. светодиод;

в. фотоэлемент;

г. фототранзистор.

26. На каких свойствах жидкокристаллических веществ основана работа ЖКИ:

а. на электрических;

б. на магнитных;

в. на оптических;

г. на температурных.          

Ключ к тесту

Критерии оценивания ответов на тест:

1 правильный ответ = 1 балл, оценка ставится в зависимости от количества набранных баллов:

"Отлично":

• количество баллов 10-15;

"Хорошо":

• количество баллов 7-9;

"Удовлетворительно"

• количество баллов 5-7:

"Неудовлетворительно"

• количество баллов менее 5.