Лабораторная работа № 11.
«Исследование биполярного транзистора».
Цель: Изучение характеристик и параметров биполярного транзистора, включённого по схеме с общим эмиттером.
Оборудование: Лабораторный стенд, транзистор, потенциометр 10 кОм, потенциометр 150 Ом, резистор 10 кОм, резистор 150 Ом, соединительные провода.
Ход работы.
1) Собрать цепь для снятия статической характеристики прямой передачи по току IК = f (IБ) биполярного транзистора при RК = 0 и U К = 1В = const. Постоянное напряжение на коллекторе поддерживать с помощью потенциометра 150 Ом. Для измерения тока базы включить миллиамперметр на 1 мА, коллектора – на 100 мА. Ток базы регулировать с помощью потенциометра 10 кОм. Для измерения напряжения на коллекторе использовать мультиметр. Результаты измерений занести в таблицу 1.
Таблица 1.
|
IБ, мА |
0 |
0,1 |
0,2 |
0,3 |
0,4 |
0,5 |
0,6 |
0,7 |
|
I К, мА |
|
|
|
|
|
|
|
|
2) Снять характеристику прямой передачи по току IК = f (IБ) при сопротивлении нагрузки RК = 150 Ом. С помощью потенциометра 10 кОм установить IБ = 0. С помощью потенциометра 150 Ом установить U К = 9В. В дальнейшем ручку регулировки потенциометра 150 Ом не трогать. Результаты измерений занести в таблицу 2:
|
IБ, мА |
0 |
0,1 |
0,2 |
0,3 |
0,4 |
0,5 |
0,6 |
0,7 |
|
I К, мА |
|
|
|
|
|
|
|
3) Построить характеристики прямой передачи по току:
I К, мА
90
70
50
30
10
IБ, мА
0 0,2 0,4 0,6
4) Определить по характеристикам прямой передачи статический коэффициент передачи тока
β= I К/ IБ и коэффициент усиления каскада Кi = I К/ IБ при заданной нагрузке вблизи точки насыщения.
5) Сделать вывод.
